货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.856538 | ¥5.86 |
10 | ¥5.034131 | ¥50.34 |
100 | ¥3.501462 | ¥350.15 |
500 | ¥2.734132 | ¥1367.07 |
1000 | ¥2.22237 | ¥2222.37 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 2.1 nC
耗散功率 17 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.3 ns
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 4.2 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
开发套件 TMDSCSK388, TMDSCSK8127
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.700 mg
购物车
0CSD17313Q2
型号:CSD17313Q2
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.856538 |
10+: | ¥5.034131 |
100+: | ¥3.501462 |
500+: | ¥2.734132 |
1000+: | ¥2.22237 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.86