货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.695986 | ¥13.70 |
10 | ¥8.767933 | ¥87.68 |
100 | ¥5.953064 | ¥595.31 |
500 | ¥4.744691 | ¥2372.35 |
1000 | ¥4.355512 | ¥4355.51 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 310 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 2.23 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
上升时间 100 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 4.8 mm
长度 15.4 mm
宽度 10.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
单位重量 2 g
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0RCX200N20
型号:RCX200N20
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.695986 |
10+: | ¥8.767933 |
100+: | ¥5.953064 |
500+: | ¥4.744691 |
1000+: | ¥4.355512 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.70