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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 109 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 15 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0RD3L050SNFRATL
型号:RD3L050SNFRATL
品牌:ROHM
供货:锐单
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