货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.770391 | ¥11.77 |
10 | ¥9.606394 | ¥96.06 |
100 | ¥7.473833 | ¥747.38 |
500 | ¥6.335102 | ¥3167.55 |
1000 | ¥5.160622 | ¥5160.62 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 1.22 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 16.15 mm
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPA80R1K4CE SP001313390
单位重量 2 g
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0IPA80R1K4CEXKSA2
型号:IPA80R1K4CEXKSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.770391 |
10+: | ¥9.606394 |
100+: | ¥7.473833 |
500+: | ¥6.335102 |
1000+: | ¥5.160622 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.77