货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.956808 | ¥8.96 |
10 | ¥7.762567 | ¥77.63 |
100 | ¥5.371597 | ¥537.16 |
500 | ¥4.488108 | ¥2244.05 |
1000 | ¥3.819581 | ¥3819.58 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 39 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2323CDS-T1-GE3
型号:SI2323CDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.956808 |
10+: | ¥7.762567 |
100+: | ¥5.371597 |
500+: | ¥4.488108 |
1000+: | ¥3.819581 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.96