MTB50P03HDLT4G
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- 制造商编号：
- MTB50P03HDLT4G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：4010
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 15 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 218 ns
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 340 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 22 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 4 g
MTB50P03HDLT4G 同类别型号
注
MTB50P03HDLT4G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、MTB50P03HDLT4G
数据手册PDF。
MTB50P03HDLT4G
型号：MTB50P03HDLT4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：4010 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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