
货期:国内(1~3工作日)
起订量:33
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 33 | ¥2.374772 | ¥78.37 |
| 50 | ¥2.266835 | ¥113.34 |
| 100 | ¥2.158896 | ¥215.89 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 58 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 21 ns
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD33CN10N G SP001127812
单位重量 330 mg
购物车
0IPD33CN10NGATMA1
型号:IPD33CN10NGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 33+: | ¥2.374772 |
| 50+: | ¥2.266835 |
| 100+: | ¥2.158896 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00