
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥74.093984 | ¥74.09 |
| 10 | ¥66.585416 | ¥665.85 |
| 100 | ¥54.553291 | ¥5455.33 |
| 500 | ¥46.626793 | ¥23313.40 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
产品 OptiMOS Power
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 124 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 24 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 OptiMOS 3 Power-Transistor
零件号别名 IPP020N06N SP000917406
单位重量 2 g
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0IPP020N06NAKSA1
型号:IPP020N06NAKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥74.093984 |
| 10+: | ¥66.585416 |
| 100+: | ¥54.553291 |
| 500+: | ¥46.626793 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥74.09