BSC080P03LSGAUMA1
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- 制造商编号：
- BSC080P03LSGAUMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：13936
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥33.717684 | ￥33.72 |
| 10 | ￥28.059972 | ￥280.60 |
| 100 | ￥22.327966 | ￥2232.80 |
| 500 | ￥18.892763 | ￥9446.38 |
| 1000 | ￥16.03033 | ￥16030.33 |
| 2000 | ￥15.228822 | ￥30457.64 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC080P03LSGAUMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A (Ta), 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
122.4nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6140pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 89W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-3
封装/外壳
8-PowerVDFN
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注
BSC080P03LSGAUMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSC080P03LSGAUMA1
数据手册PDF
。
BSC080P03LSGAUMA1
型号：BSC080P03LSGAUMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：13936 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥33.717684 |
| 10+： | ￥28.059972 |
| 100+： | ￥22.327966 |
| 500+： | ￥18.892763 |
| 1000+： | ￥16.03033 |
| 2000+： | ￥15.228822 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥33.72