CSD18511KTTT
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- 制造商编号：
- CSD18511KTTT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS
- 渠道：
- digikey
库存 ：900
货期：（7~10天）
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥23.122434 | ￥1156.12 |
| 100 | ￥19.700759 | ￥1970.08 |
| 250 | ￥18.497948 | ￥4624.49 |
| 500 | ￥16.185976 | ￥8092.99 |
| 1250 | ￥13.411174 | ￥16763.97 |
| 2500 | ￥12.486332 | ￥31215.83 |
| 5000 | ￥12.023775 | ￥60118.88 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 194 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 249 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
CSD18511KTTT 同类别型号
注
CSD18511KTTT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD18511KTTT
数据手册PDF
。
CSD18511KTTT
型号：CSD18511KTTT
品牌：TI
供货：锐单
库存：900 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥23.122434 |
| 100+： | ￥19.700759 |
| 250+： | ￥18.497948 |
| 500+： | ￥16.185976 |
| 1250+： | ￥13.411174 |
| 2500+： | ￥12.486332 |
| 5000+： | ￥12.023775 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00