货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.826283 | ¥20.83 |
10 | ¥18.630317 | ¥186.30 |
100 | ¥14.525979 | ¥1452.60 |
500 | ¥12.000188 | ¥6000.09 |
1000 | ¥10.526484 | ¥10526.48 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 4 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD35N12S3L-24 SP001398656
单位重量 330 mg
购物车
0IPD35N12S3L24ATMA1
型号:IPD35N12S3L24ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.826283 |
10+: | ¥18.630317 |
100+: | ¥14.525979 |
500+: | ¥12.000188 |
1000+: | ¥10.526484 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.83