货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥32.962915 | ¥32962.92 |
2000 | ¥30.887489 | ¥61774.98 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 138 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 171 W
通道模式 Enhancement
下降时间 7 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R065C7 SP002447554
单位重量 2 g
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0IPB65R065C7ATMA2
型号:IPB65R065C7ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥32.962915 |
2000+: | ¥30.887489 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00