
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥9.545092 | ¥19090.18 |
| 6000 | ¥9.157536 | ¥54945.22 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IAUT200N08S5N023 SP001688332
单位重量 771.020 mg
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0IAUT200N08S5N023ATMA1
型号:IAUT200N08S5N023ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥9.545092 |
| 6000+: | ¥9.157536 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00