STL12N3LLH5
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- 制造商编号：
- STL12N3LLH5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
- 渠道：
- digikey
库存 ：2764
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.709429 | ￥17.71 |
| 10 | ￥15.839313 | ￥158.39 |
| 25 | ￥15.034598 | ￥375.86 |
| 100 | ￥11.275948 | ￥1127.59 |
| 250 | ￥11.168558 | ￥2792.14 |
| 500 | ￥9.557709 | ￥4778.85 |
| 1000 | ￥7.785774 | ￥7785.77 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL12N3LLH5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
STripFET™ V
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±22V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta), 50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL12N3LLH5 同类别型号
注
STL12N3LLH5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、STL12N3LLH5
数据手册PDF。
STL12N3LLH5
型号：STL12N3LLH5
品牌：ST
供货：锐单
库存：2764 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.709429 |
| 10+： | ￥15.839313 |
| 25+： | ￥15.034598 |
| 100+： | ￥11.275948 |
| 250+： | ￥11.168558 |
| 500+： | ￥9.557709 |
| 1000+： | ￥7.785774 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.71