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DMT6010LSS-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMT6010LSS-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
渠道:
digikey

库存 :7723

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 16.448149 16.45
10 13.420194 134.20
100 10.434606 1043.46
500 8.84437 4422.18
1000 7.20454 7204.54

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 14 A

漏源电阻 8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 800 mV

栅极电荷 41.3 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 1 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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DMT6010LSS-13

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型号:DMT6010LSS-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:7723 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥16.448149
10+: ¥13.420194
100+: ¥10.434606
500+: ¥8.84437
1000+: ¥7.20454

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