
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥41.657192 | ¥41.66 |
| 10 | ¥37.626991 | ¥376.27 |
| 100 | ¥31.153923 | ¥3115.39 |
| 500 | ¥27.128437 | ¥13564.22 |
| 1000 | ¥23.627995 | ¥23627.99 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 540 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 14 S
上升时间 45 ns
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 46 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXFP34N65X2
型号:IXFP34N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥41.657192 |
| 10+: | ¥37.626991 |
| 100+: | ¥31.153923 |
| 500+: | ¥27.128437 |
| 1000+: | ¥23.627995 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥41.66