货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥37.866317 | ¥37.87 |
10 | ¥31.74945 | ¥317.49 |
100 | ¥25.68704 | ¥2568.70 |
500 | ¥22.833516 | ¥11416.76 |
1000 | ¥19.55105 | ¥19551.05 |
2000 | ¥18.409489 | ¥36818.98 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 69 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC047N08NS3 G SP000436372
单位重量 122.200 mg
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0BSC047N08NS3GATMA1
型号:BSC047N08NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.866317 |
10+: | ¥31.74945 |
100+: | ¥25.68704 |
500+: | ¥22.833516 |
1000+: | ¥19.55105 |
2000+: | ¥18.409489 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.87