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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥1.36367 | ¥1.36 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 190 mA
漏源电阻 7.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 6.1 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) 190 mS
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 4.7 ns
高度 1.5 mm
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS192P H6327 SP001047642
单位重量 130.500 mg
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0BSS192PH6327FTSA1
型号:BSS192PH6327FTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.36367 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.36