货期: 8周-10周
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥6.430073 | ¥16075.18 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 6.7 nC
耗散功率 22.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R2K0C6 SP001117714
单位重量 330 mg
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0IPD60R2K0C6ATMA1
型号:IPD60R2K0C6ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥6.430073 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00