
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.315966 | ¥9.32 |
| 10 | ¥7.718102 | ¥77.18 |
| 500 | ¥5.197956 | ¥2598.98 |
| 1000 | ¥4.410403 | ¥4410.40 |
| 5000 | ¥4.03234 | ¥20161.70 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0R6004ENX
型号:R6004ENX
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.315966 |
| 10+: | ¥7.718102 |
| 500+: | ¥5.197956 |
| 1000+: | ¥4.410403 |
| 5000+: | ¥4.03234 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.32