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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
高度 0.38 mm
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.750 mg
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0SSM3J56ACT,L3F
型号:SSM3J56ACT,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
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