货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥2.645874 | ¥6614.69 |
5000 | ¥2.463397 | ¥12316.99 |
12500 | ¥2.372195 | ¥29652.44 |
25000 | ¥2.280922 | ¥57023.05 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 644 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.5 ns
正向跨导(Min) 1.2 S
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPD04P10P G SP000212230
单位重量 330 mg
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0SPD04P10PGBTMA1
型号:SPD04P10PGBTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.645874 |
5000+: | ¥2.463397 |
12500+: | ¥2.372195 |
25000+: | ¥2.280922 |
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