货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥5.453389 | ¥13633.47 |
5000 | ¥5.248345 | ¥26241.72 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 100 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 100 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0RD3P200SNTL1
型号:RD3P200SNTL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥5.453389 |
5000+: | ¥5.248345 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00