TSM60N900CI C0G
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- 制造商编号：
- TSM60N900CI C0G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：870
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.028276 | ￥19.03 |
| 10 | ￥17.113093 | ￥171.13 |
| 25 | ￥16.141909 | ￥403.55 |
| 100 | ￥12.589553 | ￥1258.96 |
| 250 | ￥12.26706 | ￥3066.77 |
| 500 | ￥10.652869 | ￥5326.43 |
| 1000 | ￥9.038802 | ￥9038.80 |
| 2500 | ￥8.909681 | ￥22274.20 |
| 5000 | ￥8.264078 | ￥41320.39 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM60N900CI C0G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220
包装
Tube
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
900mOhm @ 2.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
480pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
ITO-220AB
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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注
TSM60N900CI C0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM60N900CI C0G
数据手册PDF。
TSM60N900CI C0G
型号：TSM60N900CI C0G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：870 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.028276 |
| 10+： | ￥17.113093 |
| 25+： | ￥16.141909 |
| 100+： | ￥12.589553 |
| 250+： | ￥12.26706 |
| 500+： | ￥10.652869 |
| 1000+： | ￥9.038802 |
| 2500+： | ￥8.909681 |
| 5000+： | ￥8.264078 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.03