搜索

SIA400EDJ-T1-GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SIA400EDJ-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 1.174657 3523.97
6000 1.114907 6689.44
9000 1.0353 9317.70
30000 1.011354 30340.62

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 12 A

漏源电阻 19 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 600 mV

栅极电荷 36 nC

耗散功率 19.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIA400EDJ-GE3

单位重量 55.886 mg

SIA400EDJ-T1-GE3 相关产品

SIA400EDJ-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SIA400EDJ-T1-GE3、查询SIA400EDJ-T1-GE3代理商; SIA400EDJ-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SIA400EDJ-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SIA400EDJ-T1-GE3 替代型号 、SIA400EDJ-T1-GE3 数据手册PDF

购物车

SIA400EDJ-T1-GE3

锐单logo

型号:SIA400EDJ-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥1.174657
6000+: ¥1.114907
9000+: ¥1.0353
30000+: ¥1.011354

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00