
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥71.221128 | ¥71.22 |
| 10 | ¥47.081713 | ¥470.82 |
| 100 | ¥33.416348 | ¥3341.63 |
| 500 | ¥31.195157 | ¥15597.58 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 192 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R165CP SP000096439
单位重量 4 g
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0IPB60R165CPATMA1
型号:IPB60R165CPATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥71.221128 |
| 10+: | ¥47.081713 |
| 100+: | ¥33.416348 |
| 500+: | ¥31.195157 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥71.22