
货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ¥0.304844 | ¥1219.38 |
| 8000 | ¥0.263684 | ¥2109.47 |
| 12000 | ¥0.218665 | ¥2623.98 |
| 28000 | ¥0.214805 | ¥6014.54 |
| 100000 | ¥0.171073 | ¥17107.30 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 60 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 100 mV
最大直流电集电极电流 150 mA
耗散功率 100 mW
增益带宽产品 80 MHz
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 400
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
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0HN1C01FE-Y,LF
型号:HN1C01FE-Y,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 4000+: | ¥0.304844 |
| 8000+: | ¥0.263684 |
| 12000+: | ¥0.218665 |
| 28000+: | ¥0.214805 |
| 100000+: | ¥0.171073 |
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