货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥68.611486 | ¥68.61 |
10 | ¥57.593215 | ¥575.93 |
100 | ¥46.591369 | ¥4659.14 |
500 | ¥41.414298 | ¥20707.15 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 114 A
漏源电阻 5.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 61 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 46 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB073N15N5 SP001180660
单位重量 4 g
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0IPB073N15N5ATMA1
型号:IPB073N15N5ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥68.611486 |
10+: | ¥57.593215 |
100+: | ¥46.591369 |
500+: | ¥41.414298 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥68.61