货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.582668 | ¥10.58 |
50 | ¥8.489172 | ¥424.46 |
100 | ¥6.727554 | ¥672.76 |
500 | ¥5.702547 | ¥2851.27 |
1000 | ¥4.645288 | ¥4645.29 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 9.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF630PBF-BE3
单位重量 2 g
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0IRF630PBF
型号:IRF630PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.582668 |
50+: | ¥8.489172 |
100+: | ¥6.727554 |
500+: | ¥5.702547 |
1000+: | ¥4.645288 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.58