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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.349131 | ¥4047.39 |
6000 | ¥1.26214 | ¥7572.84 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 2.93 nC
耗散功率 625 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.98 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 3.98 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 2.69 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXMN3B01FTA
型号:ZXMN3B01FTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.349131 |
6000+: | ¥1.26214 |
货期:1-2天
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