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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 47 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFS52N15DTRLP SP001578238
单位重量 330 mg
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0IRFS52N15DTRLP
型号:IRFS52N15DTRLP
品牌:INFINEON
供货:锐单
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