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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.230488 | ¥3076.22 |
5000 | ¥1.167929 | ¥5839.64 |
12500 | ¥1.08446 | ¥13555.75 |
25000 | ¥1.059472 | ¥26486.80 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 37 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 37.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 96 mg
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0DMTH6016LPSQ-13
型号:DMTH6016LPSQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.230488 |
5000+: | ¥1.167929 |
12500+: | ¥1.08446 |
25000+: | ¥1.059472 |
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