货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥9.019808 | ¥9.02 |
10 | ¥8.066772 | ¥80.67 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 81 nC
耗散功率 167 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 43 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0TSM100N06CZ C0G
型号:TSM100N06CZ C0G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.019808 |
10+: | ¥8.066772 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.02