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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.527319 | ¥5.53 |
10 | ¥4.763676 | ¥47.64 |
100 | ¥3.297482 | ¥329.75 |
500 | ¥2.755077 | ¥1377.54 |
1000 | ¥2.344674 | ¥2344.67 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 -
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 300 mS
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 4.01 mm
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0ZVN4206AVSTZ
型号:ZVN4206AVSTZ
品牌:DIODES
供货:锐单
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1+: | ¥5.527319 |
10+: | ¥4.763676 |
100+: | ¥3.297482 |
500+: | ¥2.755077 |
1000+: | ¥2.344674 |
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