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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN14006NH,L1Q
型号:TPN14006NH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
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