货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.940292 | ¥18.94 |
10 | ¥15.725428 | ¥157.25 |
100 | ¥12.515546 | ¥1251.55 |
500 | ¥10.590614 | ¥5295.31 |
1000 | ¥8.985924 | ¥8985.92 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 980 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 59 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6004END3TL1
型号:R6004END3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.940292 |
10+: | ¥15.725428 |
100+: | ¥12.515546 |
500+: | ¥10.590614 |
1000+: | ¥8.985924 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.94