货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.561022 | ¥4683.07 |
6000 | ¥1.481639 | ¥8889.83 |
9000 | ¥1.375844 | ¥12382.60 |
30000 | ¥1.344091 | ¥40322.73 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 900 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 4.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.2 ns
正向跨导(Min) 0.55 S
上升时间 1.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.5 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF5802TRPBF SP001561828
单位重量 20 mg
购物车
0IRF5802TRPBF
型号:IRF5802TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.561022 |
6000+: | ¥1.481639 |
9000+: | ¥1.375844 |
30000+: | ¥1.344091 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00