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RQ3E120ATTB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RQ3E120ATTB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
渠道:
自营
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 2.185454 2.19
10 1.9232 19.23
30 1.803 54.09
100 1.660945 166.09
500 1.409618 704.81

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 39 V

漏极电流 12 A

漏源电阻 61 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 62 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 95 ns

上升时间 30 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 140 ns

典型接通延迟时间 20 ns

外形参数

高度 0.85 mm

长度 3 mm

宽度 2.4 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RQ3E120AT

单位重量 241.467 mg

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RQ3E120ATTB

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型号:RQ3E120ATTB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥2.185454
10+: ¥1.9232
30+: ¥1.803
100+: ¥1.660945
500+: ¥1.409618

货期:1-2天

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