货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥2.185454 | ¥2.19 |
10 | ¥1.9232 | ¥19.23 |
30 | ¥1.803 | ¥54.09 |
100 | ¥1.660945 | ¥166.09 |
500 | ¥1.409618 | ¥704.81 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 39 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 61 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 95 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 0.85 mm
长度 3 mm
宽度 2.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E120AT
单位重量 241.467 mg
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0RQ3E120ATTB
型号:RQ3E120ATTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.185454 |
10+: | ¥1.9232 |
30+: | ¥1.803 |
100+: | ¥1.660945 |
500+: | ¥1.409618 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.19