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RQ3E120ATTB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RQ3E120ATTB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
渠道:
digikey

库存 :21799

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 9.353566 9.35
10 8.089571 80.90
100 5.600764 560.08
500 4.68007 2340.03
1000 3.983102 3983.10

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 39 V

漏极电流 12 A

漏源电阻 61 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 62 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 95 ns

上升时间 30 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 140 ns

典型接通延迟时间 20 ns

外形参数

高度 0.85 mm

长度 3 mm

宽度 2.4 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RQ3E120AT

单位重量 241.467 mg

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RQ3E120ATTB

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型号:RQ3E120ATTB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:21799 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥9.353566
10+: ¥8.089571
100+: ¥5.600764
500+: ¥4.68007
1000+: ¥3.983102

货期:7-10天

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