货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.353566 | ¥9.35 |
10 | ¥8.089571 | ¥80.90 |
100 | ¥5.600764 | ¥560.08 |
500 | ¥4.68007 | ¥2340.03 |
1000 | ¥3.983102 | ¥3983.10 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 39 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 61 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 95 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 0.85 mm
长度 3 mm
宽度 2.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E120AT
单位重量 241.467 mg
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0RQ3E120ATTB
型号:RQ3E120ATTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.353566 |
10+: | ¥8.089571 |
100+: | ¥5.600764 |
500+: | ¥4.68007 |
1000+: | ¥3.983102 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.35