货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥3.987828 | ¥7975.66 |
6000 | ¥3.625299 | ¥21751.79 |
10000 | ¥3.457977 | ¥34579.77 |
50000 | ¥3.346429 | ¥167321.45 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 48 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 7.1 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0TK7S10N1Z,LQ
型号:TK7S10N1Z,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥3.987828 |
6000+: | ¥3.625299 |
10000+: | ¥3.457977 |
50000+: | ¥3.346429 |
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