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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.087871 | ¥3263.61 |
6000 | ¥1.017722 | ¥6106.33 |
15000 | ¥0.94752 | ¥14212.80 |
30000 | ¥0.898389 | ¥26951.67 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.6 nC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17.5 ns
上升时间 4.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.8 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN30H4D0L-7
型号:DMN30H4D0L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.087871 |
6000+: | ¥1.017722 |
15000+: | ¥0.94752 |
30000+: | ¥0.898389 |
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