货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.587359 | ¥6.59 |
10 | ¥5.61659 | ¥56.17 |
100 | ¥4.192796 | ¥419.28 |
500 | ¥3.294373 | ¥1647.19 |
1000 | ¥2.54561 | ¥2545.61 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.6 nC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17.5 ns
上升时间 4.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.8 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0DMN30H4D0L-7
型号:DMN30H4D0L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.587359 |
10+: | ¥5.61659 |
100+: | ¥4.192796 |
500+: | ¥3.294373 |
1000+: | ¥2.54561 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.59