货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥25.218228 | ¥25.22 |
10 | ¥22.6114 | ¥226.11 |
25 | ¥21.336321 | ¥533.41 |
100 | ¥16.642613 | ¥1664.26 |
250 | ¥16.215604 | ¥4053.90 |
500 | ¥14.081972 | ¥7040.99 |
1000 | ¥11.94834 | ¥11948.34 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 24 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 125 ns
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUS100N02
单位重量 83 mg
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0RUS100N02TB
型号:RUS100N02TB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.218228 |
10+: | ¥22.6114 |
25+: | ¥21.336321 |
100+: | ¥16.642613 |
250+: | ¥16.215604 |
500+: | ¥14.081972 |
1000+: | ¥11.94834 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.22