货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥30.041059 | ¥30.04 |
10 | ¥27.036954 | ¥270.37 |
100 | ¥21.730968 | ¥2173.10 |
500 | ¥17.85377 | ¥8926.89 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
产品 OptiMOS Power
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 80 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 OptiMOS Power Transistor
零件号别名 IPB026N06N SP000962142
单位重量 4 g
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0IPB026N06NATMA1
型号:IPB026N06NATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.041059 |
10+: | ¥27.036954 |
100+: | ¥21.730968 |
500+: | ¥17.85377 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.04