货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥103.626709 | ¥103.63 |
30 | ¥67.890004 | ¥2036.70 |
120 | ¥65.179949 | ¥7821.59 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 2.5 kV
漏极电流 200 mA
漏源电阻 450 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7.4 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
正向跨导(Min) 88 mS
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 High Voltage Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH02N250
型号:IXTH02N250
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥103.626709 |
30+: | ¥67.890004 |
120+: | ¥65.179949 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥103.63