货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.147815 | ¥3.15 |
10 | ¥2.945745 | ¥29.46 |
50 | ¥2.64264 | ¥132.13 |
150 | ¥2.44057 | ¥366.09 |
300 | ¥2.299121 | ¥689.74 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 63 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 66 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF5305PBF SP001564354
单位重量 2 g
购物车
0IRF5305PBF
型号:IRF5305PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.147815 |
10+: | ¥2.945745 |
50+: | ¥2.64264 |
150+: | ¥2.44057 |
300+: | ¥2.299121 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.15