货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.149952 | ¥4.15 |
10 | ¥3.573179 | ¥35.73 |
100 | ¥2.66652 | ¥266.65 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 9.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 0.75 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 5.33 mm
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 453.600 mg
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0FQN1N60CTA
型号:FQN1N60CTA
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.149952 |
10+: | ¥3.573179 |
100+: | ¥2.66652 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.15