CSD18531Q5AT
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- CSD18531Q5AT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.02858 | ￥25.03 |
| 10 | ￥22.452824 | ￥224.53 |
| 100 | ￥18.049739 | ￥1804.97 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 134 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.7 ns
正向跨导（Min） 128 S
上升时间 7.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
规格参数
开发套件 DRV8711EVM
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
CSD18531Q5AT 同类别型号
注
CSD18531Q5AT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD18531Q5AT
数据手册PDF
。
CSD18531Q5AT
型号：CSD18531Q5AT
品牌：TI
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.02858 |
| 10+： | ￥22.452824 |
| 100+： | ￥18.049739 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.03