货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥25.02858 | ¥25.03 |
10 | ¥22.452824 | ¥224.53 |
100 | ¥18.049739 | ¥1804.97 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 134 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.7 ns
正向跨导(Min) 128 S
上升时间 7.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
开发套件 DRV8711EVM
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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0CSD18531Q5AT
型号:CSD18531Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.02858 |
10+: | ¥22.452824 |
100+: | ¥18.049739 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.03