货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.832338 | ¥5497.01 |
6000 | ¥1.735868 | ¥10415.21 |
9000 | ¥1.607315 | ¥14465.84 |
30000 | ¥1.591384 | ¥47741.52 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 4.6 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ2319ADS-T1_BE3
单位重量 8 mg
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0SQ2319ADS-T1_GE3
型号:SQ2319ADS-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.832338 |
6000+: | ¥1.735868 |
9000+: | ¥1.607315 |
30000+: | ¥1.591384 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00